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据悉，三星电子计划于明年生产第9代V-NAND闪存，该产品将采用双层堆栈架构，层数超过300层。另一方面，SK海力士计划在2025年上半年量产采用三层堆栈架构的321层NAND闪存。提高存储密度的手段除了提高层数外，还包括其他方案。目前，4bit单元（QLC）型3D NAND闪存已经实现商业化，而且SSD受益于此也已经变成了“白菜价”。尽管SSD目前已经有开始涨价的迹象，但几家大厂已经开始研发下一代的5 bit单元（PLC）方案，预计未来将推出容量更大、速度更快的固态硬盘。在FMS 2023闪存峰会上，SK海力士展示了其新型PLC（5-Bit MLC）技术的研究成果。这一技术原理上类似铠侠2019年开发的Twin BiCS FLASH技术，即用两个2.5 bit单元，这样双线程同时写入的话一定会比5 bit存储快得多。在5 bit单元中，一个存储单元中可以包含32个不同的阈值电压，而常规方式下用PLC写入并验证32个不同的阈值电压所需时间是TLC的近20倍，这显然是用户无法接受的。因此，SK海力士设计了一种新型PLC，将一个5bit单元分为两个2.5 bit点位，每个点也存储2.5 bit。然后综合各个点的数据获得5 bit数据，这样就可以使PLC写入时间与TLC（3bit单元）大致相同。实际上，Solidigm一年前已经展示过首款采用PLC-NAND的SSD，它沿用了当前QLC-NAND一样的192层闪存，但由于每个单元由5 bit（而非4 bit）点组成，其密度增加至23.3 Gbit / mm?，创下了最高记录；而凭借321层的第9代新型TLC-NAND，预计SK海力士有望达到20 Gbit / mm?以上的密度。然而，更多的层数也意味着更多的工作步骤和更高的成本，预计早期产品依然还会很贵。
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据悉，三星电子计划于明年生产第9代V-NAND闪存，该产品将采用双层堆栈
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